BCP56 vs BCP56T1G

Это подробное сравнение BCP56 и BCP56T1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BCP56

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1682 ПКС
Series
Транзисторы - биполярные (BJT) - однополярные транзисторы
+БОМ RFQ
Part B

BCP56T1G

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1856 ПКС
Package
SOT-223-4
Series
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BCP56 BCP56T1G
Part Status Obsolete Active
Base Product Number BCP56 -
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2 A -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V -
Power - Max 1 W 1.5 W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition - 130MHz
Compare RFQ