BSS131H6327XTSA1 vs BSS138

Это подробное сравнение BSS131H6327XTSA1 и BSS138 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS131H6327XTSA1

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 6216 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BSS138

Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle: Active
Stock: 5301 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BSS131H6327XTSA1	BSS138
Series	SIPMOS®	-
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	240 V	50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	110mA (Ta)	340mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	14Ohm @ 100mA, 10V	2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.8V @ 56µA	1.6V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.1 nC @ 10 V	1.7 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	77 pF @ 25 V	28.5 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ