BSS131H6327XTSA1 vs BSS138K Сравнение

Это подробное сравнение BSS138K и BSS131H6327XTSA1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BSS138K

+БОМ

4504 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
BSS131H6327XTSA1

+БОМ

6216 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOT-23 SOT-23-3
Описание SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 240 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA (Ta) 110mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 2.5V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.6Ohm @ 50mA, 5V 14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.8V @ 56µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.4 nC @ 10 V 3.1 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±12V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 58 pF @ 25 V 77 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 360mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - SIPMOS®
Модель сравнения : BSS138K BSS131H6327XTSA1

+БОМ RFQ