BSS138 vs BSS138LT1G

Это подробное сравнение BSS138LT1G и BSS138 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BSS138LT1G

+БОМ

2952 ПКС | Онсеми
BSS138

+БОМ

5301 ПКС | Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Пакет SOT23-3 SOT23 (Standard)
Описание MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50 V 50 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 200mA (Ta) 340mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 1mA 1.6V @ 250µA
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 25 V 28.5 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.7 nC @ 10 V
Модель сравнения : BSS138LT1G BSS138

+БОМ RFQ