BSS138LT1G vs BSS138

Это подробное сравнение BSS138LT1G и BSS138 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BSS138LT1G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2952 ПКС
Package: SOT-23-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

BSS138

Янчжоу Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Lifecycle: Active
Stock: 5301 ПКС
Package: SOT-23
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BSS138LT1G	BSS138
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V	50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	200mA (Ta)	340mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	5V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	3.5Ohm @ 200mA, 5V	2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 1mA	1.6V @ 250µA
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	28.5 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	225mW (Ta)	350mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	1.7 nC @ 10 V

Compare RFQ