BYG10M-E3/TR vs BYG10D-CT

Это подробное сравнение BYG10M-E3/TR и BYG10D-CT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BYG10M-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Диоды

Lifecycle
Active
Stock
4670 ПКС
Package
DO-214AC
Series
Диоды - Исправители - Single
+БОМ RFQ
Part B

BYG10D-CT

компанией Diotec Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
3787 ПКС
Package
DO-214AC
Series
Диоды - Исправители - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification BYG10M-E3/TR BYG10D-CT
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division DComponents
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V 200 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V 5 µA @ 200 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ