BYG10M-E3/TR vs BYG10D Сравнение

Это подробное сравнение BYG10M-E3/TR и BYG10D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BYG10M-E3/TR

+БОМ

4670 ПКС | Vishay General Semiconductor - Диоды
BYG10D

+БОМ

2111 ПКС | компанией Diotec Semiconductor
Пакет DO-214AC DO-214AC
Описание DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A ST Rect, 200V, 1.5A
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division DComponents
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V 200 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V 5 µA @ 200 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : BYG10M-E3/TR BYG10D

+БОМ RFQ