BYG10Y-E3/TR
Vishay General Semiconductor - Диоды
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4402 ПКС
- Package
- DO-214AC
- Series
- Диоды - Исправители - Single
Это подробное сравнение BYG10Y-E3/TR и BYG10J предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | BYG10Y-E3/TR | BYG10J |
|---|---|---|
| Supplier | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DComponents |
| Part Status | Active | Active |
| Diode Type | Avalanche | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 1.5A | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs | 1.5 µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1600 V | 5 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |