BYG10M-E3/TR vs BYG10Y-E3/TR

Это подробное сравнение BYG10M-E3/TR и BYG10Y-E3/TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BYG10M-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Диоды

Lifecycle: Active
Stock: 4670 ПКС
Package: DO-214AC
Series: Диоды - Исправители - Single

+БОМ RFQ

Part B

BYG10Y-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Диоды

Lifecycle: Active
Stock: 4402 ПКС
Package: DO-214AC
Series: Диоды - Исправители - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	BYG10M-E3/TR	BYG10Y-E3/TR
Supplier	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Part Status	Active	Active
Diode Type	Avalanche	Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000 V	1600 V
Current - Average Rectified(Io)	1.5A	1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.15 V @ 1.5 A	1.15 V @ 1.5 A
Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	4 µs	4 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 1000 V	1 µA @ 1600 V
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ