C3M0015065K vs C3M0065100K

Это подробное сравнение C3M0015065K и C3M0065100K предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

C3M0015065K

Компания Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
3537 ПКС
Package
TO-247-4
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

C3M0065100K

Компания Wolfspeed, Inc.

Lifecycle
Active
Stock
1451 ПКС
Package
TO-247-4
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification C3M0015065K C3M0065100K
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 55.8A, 15V 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 15.5mA 3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 188 nC @ 15 V 35 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V +19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5011 pF @ 400 V 660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max) 416W (Tc) 113.5W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ