C3M0065100K vs C3M0040120K Сравнение
Это подробное сравнение C3M0040120K и C3M0065100K предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-247-4
TO-247-4
Описание
1200V 40MOHM SIC MOSFET
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Series
C3M™
C3M™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
66A (Tc)
35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
15V
15V
Rds On(Max) @ Id Vgs
53.5mOhm @ 33.3A, 15V
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.6V @ 9.2mA
3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
99 nC @ 15 V
35 nC @ 15 V
Vgs(Max)
+15V, -4V
+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
2900 pF @ 1000 V
660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)
326W (Tc)
113.5W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
