CSD17310Q5A vs CSD17303Q5
Это подробное сравнение CSD17303Q5 и CSD17310Q5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TDFN-8
Описание
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
+10V, -8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Bulk
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
21A (Ta), 100A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
3V, 8V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.8V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
+10V, -8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1560 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
-
3.1W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
