CSD17310Q5A vs CSD17556Q5B Сравнение
Это подробное сравнение CSD17556Q5B и CSD17310Q5A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TDFN-8
TDFN-8
Описание
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
34A (Ta), 100A (Tc)
21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs
1.4mOhm @ 40A, 10V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.65V @ 250µA
1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
7020 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
3.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
