CSD17556Q5B vs CSD17308Q3

Это подробное сравнение CSD17556Q5B и CSD17308Q3 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17556Q5B

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
5685 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

CSD17308Q3

Техасские инструменты

Lifecycle
Active
Stock
5348 ПКС
Package
TDFN-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD17556Q5B CSD17308Q3
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 34A (Ta), 100A (Tc) 14A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.4mOhm @ 40A, 10V 10.3mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.65V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V +10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7020 pF @ 15 V 700 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 2.7W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ