DGD2190MS8-13 vs DGD2106MS8-13

Это подробное сравнение DGD2190MS8-13 и DGD2106MS8-13 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DGD2190MS8-13

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
2801 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

DGD2106MS8-13

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
8962 ПКС
Package
SOIC-8
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification DGD2190MS8-13 DGD2106MS8-13
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ