DMG1012T-7 vs DMG1013T-7

Это подробное сравнение DMG1012T-7 и DMG1013T-7 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1012T-7

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
6439 ПКС
Package
SOT-523-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

DMG1013T-7

Включенные диоды

Lifecycle
Active
Stock
3936 ПКС
Package
SOT-523
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification DMG1012T-7 DMG1013T-7
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA (Ta) 460mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.74 nC @ 4.5 V 0.622 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±6V ±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 60.67 pF @ 16 V 59.76 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max) 280mW (Ta) 270mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ