FDD86102 vs FDD86110
Это подробное сравнение FDD86110 и FDD86102 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
TO-252-3
TO-252-3
Описание
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
8A (Ta), 36A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
6V, 10V
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
35 nC @ 10 V
19 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
2265 pF @ 50 V
1035 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
