FDG6301N vs FDG6303N

Это подробное сравнение FDG6303N и FDG6301N предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDG6303N

+БОМ

6717 ПКС | Онсеми
FDG6301N

+БОМ

7191 ПКС | Онсеми
Пакет
Описание MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Part Status Obsolete Obsolete
Base Product Number FDG6303 FDG6301
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Модель сравнения : FDG6303N FDG6301N

+БОМ RFQ