FDG6301N vs FDG6313N

Это подробное сравнение FDG6301N и FDG6313N предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6301N

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
7191 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы
+БОМ RFQ
Part B

FDG6313N

Компания Fairchild Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
4277 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6301N FDG6313N
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDG6301 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V -
Power - Max 300mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Compare RFQ