FDG6316P vs FDG6332C-PG

Это подробное сравнение FDG6316P и FDG6332C-PG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDG6316P

+БОМ

4567 ПКС | Онсеми
FDG6332C-PG

+БОМ

3818 ПКС | Онсеми
Пакет SC-88
Описание MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88 MOSFET N P-CH 20V SC70-6
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus - Obsolete
FETType - N and P-Channel Complementary
FETFeature - Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 700mA (Ta), 600mA (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs - 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Power-Max - 300mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : FDG6316P FDG6332C-PG

+БОМ RFQ