FDG6316P vs FDG6320C

Это подробное сравнение FDG6316P и FDG6320C предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6316P

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4567 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - FET, MOSFET массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDG6320C

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1672 ПКС
Package: TSSOP-6
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDG6316P	FDG6320C
Part Status	Obsolete	Obsolete
FET Type	-	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	-	220mA, 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	-	4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	-	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	-	0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	-	9.5pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	PowerTrench®	-
Base Product Number	FDG6316	-
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Configuration	2 P-Channel (Dual)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	700mA	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 700mA, 4.5V	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 6V	-
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	-

Compare RFQ