FDG6316P vs FDG6320C

Это подробное сравнение FDG6316P и FDG6320C предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDG6316P

+БОМ

4567 ПКС | Онсеми
FDG6320C

+БОМ

1672 ПКС | Онсеми
Пакет TSSOP-6
Описание MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88 MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
ProductStatus - Obsolete
FETType - N and P-Channel
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 220mA, 140mA
RdsOn(Max)@IdVgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 0.4nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 9.5pF @ 10V
Power-Max - 300mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Series PowerTrench® -
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDG6316 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 P-Channel (Dual) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : FDG6316P FDG6320C

+БОМ RFQ