FDG6322C vs FDG6303N_G

Это подробное сравнение FDG6322C и FDG6303N_G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6322C

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4629 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDG6303N_G

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4760 ПКС
Package: SC-88
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDG6322C	FDG6303N_G
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	220mA, 410mA	500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V	450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	50pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ