FDG6322C vs FDG6301N_D87Z Сравнение

Это подробное сравнение FDG6322C и FDG6301N_D87Z предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDG6322C

+БОМ

4629 ПКС | Онсеми
FDG6301N_D87Z

+БОМ

2903 ПКС | Онсеми
Пакет SC-88 SC-88
Описание MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA, 410mA 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDG6322C FDG6301N_D87Z

+БОМ RFQ