FDG6320C vs FDG6332C

Это подробное сравнение FDG6320C и FDG6332C предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6320C

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1672 ПКС
Package: TSSOP-6
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

FDG6332C

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2173 ПКС
Package: TSSOP-6
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDG6320C	FDG6332C
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N and P-Channel	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	220mA, 140mA	700mA, 600mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V	300mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	113pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	-	PowerTrench®

Compare RFQ