FDS6630A vs FDS6680A

Это подробное сравнение FDS6680A и FDS6630A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS6680A

+БОМ

5816 ПКС | Онсеми
FDS6630A

+БОМ

4912 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12.5A (Ta) 6.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9.5mOhm @ 12.5A, 10V 38mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23 nC @ 5 V 7 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1620 pF @ 15 V 460 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDS6680A FDS6630A

+БОМ RFQ