FDS89161LZ vs FDS8958A

Это подробное сравнение FDS8958A и FDS89161LZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8958A

+БОМ

3494 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FDS89161LZ

+БОМ

5815 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7A, 5A 2.7A
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 7A, 10V 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16nC @ 10V 5.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V 302pF @ 50V
Power-Max 900mW 1.6W
MountingType Surface Mount Surface Mount
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Модель сравнения : FDS8958A FDS89161LZ

+БОМ RFQ