FDS89161LZ vs FDS8958B

Это подробное сравнение FDS8958B и FDS89161LZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS8958B

+БОМ

2336 ПКС | Онсеми
FDS89161LZ

+БОМ

5815 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.4A, 4.5A 2.7A
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 6.4A, 10V 105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 12nC @ 10V 5.3nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 540pF @ 15V 302pF @ 50V
Power-Max 900mW 1.6W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : FDS8958B FDS89161LZ

+БОМ RFQ