FGA40T65SHD vs FGA40N65SMD

Это подробное сравнение FGA40T65SHD и FGA40N65SMD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGA40T65SHD

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5595 ПКС
Package
TO-3PN
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

FGA40N65SMD

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
4225 ПКС
Package
TO-3PN
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGA40T65SHD FGA40N65SMD
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 268 W 349 W
Switching Energy 1.01mJ (on), 297µJ (off) 820µJ (on), 260µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 72.2 nC 119 nC
Td(on / off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns 12ns/92ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 31.8 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ