FGH40T120SMD vs FGH40N60SMD

Это подробное сравнение FGH40T120SMD и FGH40N60SMD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40T120SMD

Компания Fairchild Semiconductor

Lifecycle
Active
Stock
2036 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

FGH40N60SMD

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
1472 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGH40T120SMD FGH40N60SMD
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 555 W 349 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 870µJ (on), 260µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 119 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 12ns/92ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns 36 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ