GD25LE32DLIGR vs GD25LE128DLIGR

Это подробное сравнение GD25LE32DLIGR и GD25LE128DLIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25LE32DLIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 1945 ПКС
Series: Память - Память

+БОМ RFQ

Part B

GD25LE128DLIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 3943 ПКС
Package: WLSCP-21
Series: Память

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	GD25LE32DLIGR	GD25LE128DLIGR
Part Status	Active	Active
Memory Type	Non-Volatile	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	FLASH
Technology	FLASH - NOR	FLASH - NOR
Memory Size	32Mbit	128Mb (16M x 8)
Memory Interface	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O
Clock Frequency	120 MHz	120 MHz
Write Cycle Time - Word Page	-	2.4ms
Voltage - Supply	1.65V ~ 2V	1.65V ~ 2V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Base Product Number	GD25LE32	-
Digi Key Programmable	Not Verified	-
Memory Organization	4M x 8	-
Write Cycle Time - Word, Page	2.4ms	-
Packaging	Tape & Reel (TR)	-

Compare RFQ