GD25LE32DLIGR vs GD25LE64CLIGR Сравнение

Это подробное сравнение GD25LE32DLIGR и GD25LE64CLIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
GD25LE32DLIGR

+БОМ

1945 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE64CLIGR

+БОМ

2679 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Пакет WLSCP-21
Описание IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 21WLCSP IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 21WLCSP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mbit 64Mb (8M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 133 MHz
Write Cycle Time - Word Page - 2.4ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number GD25LE32 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Memory Organization 4M x 8 -
Write Cycle Time - Word, Page 2.4ms -
Packaging Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : GD25LE32DLIGR GD25LE64CLIGR

+БОМ RFQ