GD25LQ128ESIGR vs GD25LD80CTIG

Это подробное сравнение GD25LQ128ESIGR и GD25LD80CTIG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25LQ128ESIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
6112 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ
Part B

GD25LD80CTIG

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
5727 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification GD25LQ128ESIGR GD25LD80CTIG
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 128Mb (16M x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 120 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 60µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
Compare RFQ