GD25LQ128ESIGR vs GD25LD80CSIG Сравнение

Это подробное сравнение GD25LQ128ESIGR и GD25LD80CSIG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
GD25LQ128ESIGR

+БОМ

6112 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CSIG

+БОМ

4443 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC FLASH 128MB SPI/QUAD/I/O 8SOP IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8SOP
Part Status Active Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 128Mb (16M x 8) 8Mb (1M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Dual I/O
Clock Frequency 120 MHz 50 MHz
Write Cycle Time - Word Page 60µs, 2.4ms 60µs, 6ms
Voltage - Supply 1.65V ~ 2V 1.65V ~ 2V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Access Time 7 ns -
Модель сравнения : GD25LQ128ESIGR GD25LD80CSIG

+БОМ RFQ