GD25VQ40CEIGR vs GD25VE16CEIGR

Это подробное сравнение GD25VQ40CEIGR и GD25VE16CEIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25VQ40CEIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 7934 ПКС
Package: XFDFN-8
Series: Память

+БОМ RFQ

Part B

GD25VE16CEIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 4620 ПКС
Package: XFDFN-8
Series: Память

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	GD25VQ40CEIGR	GD25VE16CEIGR
Part Status	Active	Active
Memory Type	Non-Volatile	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	FLASH
Technology	FLASH - NOR	FLASH - NOR
Memory Size	4Mb (512K x 8)	16Mb (2M x 8)
Memory Interface	SPI - Quad I/O	SPI - Quad I/O
Clock Frequency	104 MHz	104 MHz
Write Cycle Time - Word Page	50µs, 3ms	-
Voltage - Supply	2.3V ~ 3.6V	2.1V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ