GD25VQ40CEIGR vs GD25VE20CEIGR Сравнение

Это подробное сравнение GD25VQ40CEIGR и GD25VE20CEIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
GD25VQ40CEIGR

+БОМ

7934 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CEIGR

+БОМ

5792 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Пакет XFDFN-8 XFDFN-8
Описание IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON IC FLASH 2MBIT SPI/QUAD 8USON
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 4Mb (512K x 8) 2Mb (256K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 104 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 3ms -
Voltage - Supply 2.3V ~ 3.6V 2.1V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : GD25VQ40CEIGR GD25VE20CEIGR

+БОМ RFQ