IR2101S vs IR21014S Сравнение

Это подробное сравнение IR2101S и IR21014S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2101S

+БОМ

7072 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21014S

+БОМ

8206 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-14
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink) - 210mA, 360mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 100ns, 50ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IR2101 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 210mA, 360mA -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns -
Packaging Tube -
Модель сравнения : IR2101S IR21014S

+БОМ RFQ