IR2101S vs IR2101SPBF Сравнение
Это подробное сравнение IR2101S и IR2101SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 8N
Описание
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Obsolete
Active
Driven Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Gate Type
IGBT, MOSFET (N-Channel)
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
-
0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
210mA, 360mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
100ns, 50ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
IR2101
-
Digi Key Programmable
Not Verified
-
Logic Voltage - VIL, VIH
0.8V, 3V
-
Current - Peak Output (Source, Sink)
210mA, 360mA
-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)
600 V
-
Rise / Fall Time (Typ)
100ns, 50ns
-
Packaging
Tube
-
