IR2101STRPBF vs IR2102STRPBF

Это подробное сравнение IR2101STRPBF и IR2102STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2101STRPBF

+БОМ

4635 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2102STRPBF

+БОМ

5881 ПКС | Международный исправитель
Пакет SOIC 8N
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IR2102S - GATE DRIVER
Part Status - Active
DigiKey Programmable - Not Verified
Base Product Number - IR2102
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : IR2101STRPBF IR2102STRPBF

+БОМ RFQ