IR2101STRPBF vs IR2103S

Это подробное сравнение IR2103S и IR2101STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2103S

+БОМ

6023 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2101STRPBF

+БОМ

4635 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOIC 8N
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Obsolete Active
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA 210mA, 360mA
InputType Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2103S IR2101STRPBF

+БОМ RFQ