IR2110SPBF vs IR2110STR

Это подробное сравнение IR2110SPBF и IR2110STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2110SPBF

+БОМ

7475 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2110STR

+БОМ

9490 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 16W 16-SOIC
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 500 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2110SPBF IR2110STR

+БОМ RFQ