IR2110STRPBF vs IR2112S Сравнение

Это подробное сравнение IR2112S и IR2110STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2112S

+БОМ

4810 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2110STRPBF

+БОМ

1823 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 16W
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration High-Side, Low-Side Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 2A, 2A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 500 V
Rise / Fall Time(Typ) - 25ns, 17ns
Модель сравнения : IR2112S IR2110STRPBF

+БОМ RFQ