IR21271STRPBF vs IR21271SPBF Сравнение
Это подробное сравнение IR21271STRPBF и IR21271SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 8N
SOIC-8
Описание
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
IR21271S - GATE DRIVER
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
High-Side or Low-Side
High-Side or Low-Side
Channel Type
Single
Single
Number of Drivers
1
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
9V ~ 20V
9V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Current - Peak Output(Source Sink)
250mA, 500mA
250mA, 500mA
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
80ns, 40ns
80ns, 40ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
