IR21271STRPBF vs IR2125STR Сравнение
Это подробное сравнение IR21271STRPBF и IR2125STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 8N
SOIC-W-16
Описание
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Part Status
Active
Obsolete
Driven Configuration
High-Side or Low-Side
High-Side
Channel Type
Single
Single
Number of Drivers
1
1
Gate Type
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
9V ~ 20V
0V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH
0.8V, 3V
0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink)
250mA, 500mA
1.6A, 3.3A
Input Type
Non-Inverting
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
600 V
500 V
Rise / Fall Time(Typ)
80ns, 40ns
43ns, 26ns
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
