IR2183STRPBF vs IR21834STRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IR2183STRPBF и IR21834STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2183STRPBF

+БОМ

6670 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21834STRPBF

+БОМ

9431 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Active Active
Digi Key Programmable - Not Verified
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 1.9A, 2.3A
Input Type Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 40ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IR21834
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 600 V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.7V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns -
Модель сравнения : IR2183STRPBF IR21834STRPBF

+БОМ RFQ