IR21844STRPBF vs IR21814STRPBF

Это подробное сравнение IR21814STRPBF и IR21844STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR21814STRPBF

+БОМ

2959 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21844STRPBF

+БОМ

2739 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 14N
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Active -
DigiKey Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) -
Voltage - Supply 10V ~ 20V -
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 2.7V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 1.9A, 2.3A -
Input Type Non-Inverting -
Rise / Fall Time (Typ) 40ns, 20ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Base Product Number IR21814 -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
ProductStatus - Active
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Synchronous
NumberofDrivers - 2
GateType - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.7V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.9A, 2.3A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 40ns, 20ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Модель сравнения : IR21814STRPBF IR21844STRPBF

+БОМ RFQ