IR2213S vs IR2213SPBF Сравнение

Это подробное сравнение IR2213S и IR2213SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2213S

+БОМ

6010 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2213SPBF

+БОМ

3867 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-16 SOIC 16W
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Part Status Obsolete Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 12V ~ 20V 12V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2.5A 2A, 2.5A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 1200 V 1200 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2213S IR2213SPBF

+БОМ RFQ