IRF540 vs IRF540PBF

Это подробное сравнение IRF540 и IRF540PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF540

+БОМ

1604 ПКС | Vishay Силиконикс
IRF540PBF

+БОМ

1774 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет TO-220AB
Описание MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 28A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 77mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 72 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 1700 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 150W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Part Status Obsolete -
Base Product Number IRF540 -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 10V -
Packaging Tube -
Модель сравнения : IRF540 IRF540PBF

+БОМ RFQ