IRF540NSTRLPBF vs IRF540
Это подробное сравнение IRF540 и IRF540NSTRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-263-3
Описание
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF540
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 17A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
Series
-
HEXFET®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
33A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
71 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1960 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
130W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
