IRF7104TRPBF vs IRF7101PBF

Это подробное сравнение IRF7104TRPBF и IRF7101PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7104TRPBF

+БОМ

22804 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7101PBF

+БОМ

8866 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 15V 320pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7104TRPBF IRF7101PBF

+БОМ RFQ