IRF7104TRPBF vs IRF7105PBF

Это подробное сравнение IRF7104TRPBF и IRF7105PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7104TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 22804 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7105PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 7430 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7104TRPBF	IRF7105PBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 P-Channel (Dual)	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.3A	3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	250mOhm @ 1A, 10V	100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 15V	330pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ