IRF7105TRPBF vs IRF7103Q

Это подробное сравнение IRF7105TRPBF и IRF7103Q предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7105TRPBF

+БОМ

2140 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7103Q

+БОМ

9666 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOP-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V 50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A, 2.3A 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 330pF @ 15V 255pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7105TRPBF IRF7103Q

+БОМ RFQ